خواص اپتیکی کریستال فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک (سمیه داودی1، مریم قشلاقی)

نوع مقاله: پژوهشی

چکیده

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه تابش نور فرودی، پهنای باند پلاریزاسیون P کاهش یافته است و دو پلاریزاسیون S و P  از یکدیگر جدا می شوند. افزایش تعداد تناوب، پهنای شکاف باند را تغییر نمی دهد ولی می تواند عمق شکاف باند را زیاد می کند. همچنین با افزایش فاکتور انباشت (ضریب تعداد لایه ها در هر بخش)، شکاف باند فوتونیکی افزایش یافته است و در نتیجه به سمت طول موج های بلندتر انتقال پیدا می کند.

کلیدواژه‌ها